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FQP4N90C 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，4 A，4.2 ?，TO-220
FQP4N90C 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，4 A，4.2 ?，TO-220
FQP4N90C 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，900 V，4 A，4.2 ?，TO-220
價格: ￥5.000 - ￥6.000
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FQP4N90C
FQP4N90C特征：
●4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A柵極電荷低（典型值：17nC)
●低 Crss（典型值5.6pF)
●100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試"
●100% avalanche tested
 
 
 
FQP4N90C說明：
此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋和 DMOS 專屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進(jìn) MOSFET 技術(shù)特別適用于降低導(dǎo)通電阻，提供出色的開關(guān)性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。
 
 
 
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
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