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SI2315BDS-T1-E3 P溝道MOSFET 封裝SOT-23-3 深圳市藍信偉業(yè)電子有限公司
SI2315BDS-T1-E3 P溝道MOSFET 封裝SOT-23-3 深圳市藍信偉業(yè)電子有限公司
SI2315BDS-T1-E3
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SI2315BDS-T1-E3    P溝道MOSFET    封裝SOT-23-3  深圳市藍信偉業(yè)電子有限公司
 
特征:
●低功耗:具有較低的導通電阻(Rds(on)),在導通狀態(tài)下能耗較低。
●快速開關(guān)速度:柵極電荷(Qg)較小,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,減少開關(guān)損耗。
●高穩(wěn)定性:工作溫度范圍寬(-55°C至150°C),能夠在各種環(huán)境下穩(wěn)定工作。
●小尺寸:采用SOT-23-3封裝,體積小巧,便于在電路板上布局。
 
說明:
SI2315BDS-T1-E3是一款高性能的P溝道MOSFET,專為低功耗、快速開關(guān)的電路應用設計。它結(jié)合了低功耗、快速開關(guān)速度和高穩(wěn)定性的優(yōu)點,廣泛應用于各種便攜式電子設備、電源管理電路和信號放大電路中。
 
關(guān)鍵參數(shù):
●漏源擊穿電壓 Vds 12V
●連續(xù)漏極電流 Id 3A(在25°C時)
●漏源導通電阻(最大) Rds(on) 50mΩ @ 3.85A, 4.5V
●柵源極閾值電壓 Vgs(th) 900mV @ 250µA
●柵極電壓(最大值) Vgs ±8V
●柵極電荷(最大值) Qg 8nC
●耗散功率(最大值) Pd 750mW(在25°C時)
●上升時間 tr 35ns
●下降時間 tf 50ns
●工作溫度范圍 Tj -55°C至150°C
 
應用場景:
●便攜式電子設備:如手機、平板電腦、筆記本電腦等,用于電源管理、電池保護電路和信號放大。
●電源管理:在DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中,作為開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
●信號放大:在音頻放大器、傳感器接口電路和信號調(diào)理電路中,用于放大微弱信號。
●工業(yè)控制:在自動化控制系統(tǒng)中,用于驅(qū)動繼電器、電磁閥等執(zhí)行器,實現(xiàn)低功耗、快速響應的控制。
 
SI2315BDS-T1-E3    P溝道MOSFET    封裝SOT-23-3  深圳市藍信偉業(yè)電子有限公司
 
特征:
●低功耗:具有較低的導通電阻(Rds(on)),在導通狀態(tài)下能耗較低。
●快速開關(guān)速度:柵極電荷(Qg)較小,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,減少開關(guān)損耗。
●高穩(wěn)定性:工作溫度范圍寬(-55°C至150°C),能夠在各種環(huán)境下穩(wěn)定工作。
●小尺寸:采用SOT-23-3封裝,體積小巧,便于在電路板上布局。
 
說明:
SI2315BDS-T1-E3是一款高性能的P溝道MOSFET,專為低功耗、快速開關(guān)的電路應用設計。它結(jié)合了低功耗、快速開關(guān)速度和高穩(wěn)定性的優(yōu)點,廣泛應用于各種便攜式電子設備、電源管理電路和信號放大電路中。
 
關(guān)鍵參數(shù):
●漏源擊穿電壓 Vds 12V
●連續(xù)漏極電流 Id 3A(在25°C時)
●漏源導通電阻(最大) Rds(on) 50mΩ @ 3.85A, 4.5V
●柵源極閾值電壓 Vgs(th) 900mV @ 250µA
●柵極電壓(最大值) Vgs ±8V
●柵極電荷(最大值) Qg 8nC
●耗散功率(最大值) Pd 750mW(在25°C時)
●上升時間 tr 35ns
●下降時間 tf 50ns
●工作溫度范圍 Tj -55°C至150°C
 
應用場景:
●便攜式電子設備:如手機、平板電腦、筆記本電腦等,用于電源管理、電池保護電路和信號放大。
●電源管理:在DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中,作為開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
●信號放大:在音頻放大器、傳感器接口電路和信號調(diào)理電路中,用于放大微弱信號。
●工業(yè)控制:在自動化控制系統(tǒng)中,用于驅(qū)動繼電器、電磁閥等執(zhí)行器,實現(xiàn)低功耗、快速響應的控制。
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
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