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SI2309CDS-T1-GE3 P溝道增強型功率MOSFET 封裝SOT-23-3 深圳市藍信偉業電子有限公司
SI2309CDS-T1-GE3 P溝道增強型功率MOSFET 封裝SOT-23-3 深圳市藍信偉業電子有限公司
SI2309CDS-T1-GE3   P溝道增強型功率MOSFET    封裝SOT-23-3  深圳市藍信偉業電子有限公司
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SI2309CDS-T1-GE3   P溝道增強型功率MOSFET    封裝SOT-23-3  深圳市藍信偉業電子有限公司
 
特征：
●低導通電阻：具有較低的導通電阻（RDS(ON)），有助于減少在導通狀態下的功率損耗，提高電路的效率。
●高開關速度：能夠快速響應柵極電壓的變化，實現快速的開關動作，適用于高頻開關電路。
●高反向電壓承受能力：能夠承受較高的反向電壓（Vds），為電路提供可靠的保護。
●緊湊的尺寸：采用SOT-23-3封裝，具有緊湊的尺寸，便于在PCB上進行布局。
●穩定的性能：采用先進的制造工藝和材料，確保產品在各種環境下都能穩定可靠地工作。
 
說明：
SI2309CDS-T1-GE3是一款高性能的P溝道增強型功率MOSFET，專為需要高效率、高可靠性和高頻開關的應用場景設計。它結合了低導通電阻、高開關速度、高反向電壓承受能力和緊湊的尺寸等優點，適用于各種低功率開關、電流控制和模擬開關等領域。
 
關鍵參數：
●溝道類型 P溝道
●漏源極電壓（Vds） -60V
●連續漏極電流（Id） -5.2A
●導通電阻（RDS(ON)） 40mΩ @ 10V      48mΩ @ 4.5V
●柵源極閾值電壓（Vgs(th)） -2V
●柵極電壓范圍（Vgs） ±20V
●封裝類型 SOT-23-3
●工作溫度范圍 -55°C至150°C
●耗散功率（Pd） 1W (Ta)
 
應用場景：
●低功率開關：
在便攜式設備、汽車電子、家用電器等領域，SI2309CDS-T1-GE3可作為低功率開關元件，用于控制電路的通斷。
●電流控制：
在電機驅動、電源管理等應用中，通過控制柵極電壓，可以精確調節通過MOSFET的電流大小，實現電流的精確控制。
●模擬開關：
在模擬電路中，SI2309CDS-T1-GE3可用作模擬開關，實現信號的切換和傳輸。
●電源管理：
在電源管理電路中，SI2309CDS-T1-GE3可用于實現電池的充放電控制、過流保護等功能。
●緊湊型應用：
由于其緊湊的尺寸和高效的性能，SI2309CDS-T1-GE3特別適用于空間受限的緊湊型應用場景。
 
SI2309CDS-T1-GE3   P溝道增強型功率MOSFET    封裝SOT-23-3  深圳市藍信偉業電子有限公司
 
特征：
●低導通電阻：具有較低的導通電阻（RDS(ON)），有助于減少在導通狀態下的功率損耗，提高電路的效率。
●高開關速度：能夠快速響應柵極電壓的變化，實現快速的開關動作，適用于高頻開關電路。
●高反向電壓承受能力：能夠承受較高的反向電壓（Vds），為電路提供可靠的保護。
●緊湊的尺寸：采用SOT-23-3封裝，具有緊湊的尺寸，便于在PCB上進行布局。
●穩定的性能：采用先進的制造工藝和材料，確保產品在各種環境下都能穩定可靠地工作。
 
說明：
SI2309CDS-T1-GE3是一款高性能的P溝道增強型功率MOSFET，專為需要高效率、高可靠性和高頻開關的應用場景設計。它結合了低導通電阻、高開關速度、高反向電壓承受能力和緊湊的尺寸等優點，適用于各種低功率開關、電流控制和模擬開關等領域。
 
關鍵參數：
●溝道類型 P溝道
●漏源極電壓（Vds） -60V
●連續漏極電流（Id） -5.2A
●導通電阻（RDS(ON)） 40mΩ @ 10V      48mΩ @ 4.5V
●柵源極閾值電壓（Vgs(th)） -2V
●柵極電壓范圍（Vgs） ±20V
●封裝類型 SOT-23-3
●工作溫度范圍 -55°C至150°C
●耗散功率（Pd） 1W (Ta)
 
應用場景：
●低功率開關：
在便攜式設備、汽車電子、家用電器等領域，SI2309CDS-T1-GE3可作為低功率開關元件，用于控制電路的通斷。
●電流控制：
在電機驅動、電源管理等應用中，通過控制柵極電壓，可以精確調節通過MOSFET的電流大小，實現電流的精確控制。
●模擬開關：
在模擬電路中，SI2309CDS-T1-GE3可用作模擬開關，實現信號的切換和傳輸。
●電源管理：
在電源管理電路中，SI2309CDS-T1-GE3可用于實現電池的充放電控制、過流保護等功能。
●緊湊型應用：
由于其緊湊的尺寸和高效的性能，SI2309CDS-T1-GE3特別適用于空間受限的緊湊型應用場景。
 
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
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