ai人工智能预测竞彩软件-格雷格奥登-中超和cba-500足球比赛竞彩网|www.botianzs.cn

?
SVF18N50F N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
SVF18N50F N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
SVF18N50F  N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
價格: ￥2.500 - ￥3.500
庫存: 3000
積分: 0
數(shù)量：
數(shù)量 單價 折扣
1-99 ￥3.50 ￥0
100-999 ￥3.00 ￥0.5
>=1000 ￥2.50 ￥1
        
詳細(xì)介紹
商品屬性
售后服務(wù)
評價信息(0)
商品咨詢
SVF18N50F 的說明
SVF18N50F/T/PN/FJ N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-Cell™平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動。
 
 
 
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
■低柵極電荷量
■低反向傳輸電容
■開關(guān)速度快
■提升了 dv/dt 能力
SVF18N50F 的說明
SVF18N50F/T/PN/FJ N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-Cell™平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動。
 
 
 
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
■低柵極電荷量
■低反向傳輸電容
■開關(guān)速度快
■提升了 dv/dt 能力
QQ:800007218
為您推薦