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GT20L16S1Y 20 A、410 V內(nèi)部鉗制IGBT
GT20L16S1Y 20 A、410 V內(nèi)部鉗制IGBT
GT20L16S1Y采用基于專(zhuān)利帶狀布局的最新高壓技術(shù)，設(shè)計(jì)了一系列先進(jìn)的IGBT，即PowerMESHTM IGBT。內(nèi)置集電極-柵極齊納展現(xiàn)出非常精確的有源箝位，而柵極-發(fā)射極齊納提供ESD保護(hù)。
價(jià)格: ￥1.500 - ￥2.300
庫(kù)存: 3000
積分: 0
數(shù)量：
數(shù)量 單價(jià) 折扣
1-99 ￥2.30 ￥0
100-999 ￥2.00 ￥0.3
>=1000 ￥1.50 ￥0.8
        
詳細(xì)介紹
商品屬性
售后服務(wù)
評(píng)價(jià)信息(0)
商品咨詢(xún)
GT20L16S1Y的特征
●高壓箝位特性
●多晶硅柵極電壓驅(qū)動(dòng)
●低導(dǎo)通電壓降
●低閾值電壓
●高電流能力
●低柵極電荷
 
GT20L16S1Y說(shuō)明
GT20L16S1Y采用基于專(zhuān)利帶狀布局的最新高壓技術(shù)，設(shè)計(jì)了一系列先進(jìn)的IGBT，即PowerMESHTM IGBT。內(nèi)置集電極-柵極齊納展現(xiàn)出非常精確的有源箝位，而柵極-發(fā)射極齊納提供ESD保護(hù)。
 
電話(huà):+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動(dòng)電話(huà):13424188068 
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聯(lián)系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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