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TPS22916CLYFPR 具有輸出放電功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏負(fù)載開關(guān)
TPS22916CLYFPR 具有輸出放電功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏負(fù)載開關(guān)
TPS22916CLYFPR的說明
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),采用低漏電 P 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。高級(jí)柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1V 的工作電壓,且增加超小的導(dǎo)通電阻和功率損耗。

多個(gè)時(shí)序選項(xiàng)可支持各種系統(tǒng)負(fù)載條件。對(duì)于高容性負(fù)載,C 版本的慢速導(dǎo)通時(shí)序可更大限度減小浪涌電流。而在低容性負(fù)載中,B 版本的快速時(shí)序可減少所需的等待時(shí)間。

開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制,此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。此器件同時(shí)提供高電平有效和低電平有效 (L) 版本。首次加電
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商品咨詢
TPS22916CLYFPR的特性
●輸入電壓范圍 (VIN):1 V 至 5.5V
●最大持續(xù)電流 (IMAX):2A
●導(dǎo)通電阻 (RON):
●5V VIN = 60mΩ(典型值)、100mΩ(85°C 最大值)
●1.8V VIN = 100mΩ(典型值)、150mΩ(85°C 最大值)
●1V VIN = 200mΩ(典型值)、325mΩ(85°C 最大值)
●超低功耗:
●導(dǎo)通狀態(tài) (IQ):0.5µA(典型值)、1µA(最大值)
●關(guān)閉狀態(tài) (ISD):10nA(典型值)、100nA(最大值)
●TPS22916BL/CL/CNL (ISD):100nA(典型值)、300nA(最大值)
●ON 引腳智能下拉電阻 (RPD):
●ON ≥ VIH (ION):10nA(最大值)
●ON ≤ VIL (RPD):750kΩ(典型值)
●C 版本的慢時(shí)序可限制浪涌電流:
●5V 開通時(shí)間 (tON):5mV/µs 時(shí)為 1400µs
●1.8V 開通時(shí)間 (tON):1mV/µs 時(shí)為 3000µs
●1V 開通時(shí)間 (tON):0.3mV/µs 時(shí)為 6500µs
●B 版本的快速時(shí)序可減少等待時(shí)間:
●5V 開通時(shí)間 (tON):57mV/µs 時(shí)為 115µs
●1.8V 開通時(shí)間 (tON):12mV/µs 時(shí)為 250µs
●1V 開通時(shí)間 (tON):3.3mV/µs 時(shí)為 510µs
●常開的真反向電流阻斷 (RCB):
●激活電流 (IRCB):–500mA(典型值)
●反向泄漏電流 (IIN,RCB):–300nA(最大值)
●快速輸出放電 (QOD):150?(典型值) (N 版本無 QOD)
●低電平有效使能選項(xiàng)(L 版本)
 
TPS22916CLYFPR的說明
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),采用低漏電 P 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。高級(jí)柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1V 的工作電壓,且增加超小的導(dǎo)通電阻和功率損耗。
 
多個(gè)時(shí)序選項(xiàng)可支持各種系統(tǒng)負(fù)載條件。對(duì)于高容性負(fù)載,C 版本的慢速導(dǎo)通時(shí)序可更大限度減小浪涌電流。而在低容性負(fù)載中,B 版本的快速時(shí)序可減少所需的等待時(shí)間。
 
開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制,此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。此器件同時(shí)提供高電平有效和低電平有效 (L) 版本。首次加電時(shí),此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空,直到系統(tǒng)時(shí)序控制完成。ON 引腳故意驅(qū)動(dòng)為高電平 (≥VIH) 后,便會(huì)斷開智能下拉電阻,從而防止不必要的功率損耗。
 
TPS22916xx 采用節(jié)省空間的小型 0.78mm × 0.78mm、0.4mm 間距、0.5mm 高度的 4 引腳晶圓芯片級(jí) (WCSP) 封裝 (YFP)。此器件的工作溫度范圍為 –40°C 至 +85°C。
以上為部分熱銷到貨產(chǎn)品,電容、電阻等其他物料可以聯(lián)系我司
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