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GD25Q256DYIGR 3.3V統一扇區雙通道和四通道串行閃存
GD25Q256DYIGR 3.3V統一扇區雙通道和四通道串行閃存
GD25Q256D（256M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI），并支持雙/四SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（保持#/復位#）。雙I/O數據以208Mbits/s的速度傳輸，四I/O和四輸出數據以416Mbits/s的速度傳輸。
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■GD25Q256DYIGR 說明 
GD25Q256D（256M位）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI），并支持雙/四SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（保持#/復位#）。雙I/O數據以208Mbits/s的速度傳輸，四I/O和四輸出數據以416Mbits/s的速度傳輸。
■產品名稱：TNY278PN
 
■功能名稱：雙路和四路串行閃存
 
■GD25Q256DYIGR特點：
●256M位串行閃存
●快速編程/擦除速度
-每可編程頁256字節
-頁面程序時間:典型0.4ms
-扇區擦除時間:70ms典型值
標準、雙路、四路SPI
-塊擦除時間:0.16/0.22秒
-標準SPI:SCLK,CS#,SI,SO，可濕性粉劑#，保持#/復位#
-芯片擦除時間:典型值70
-雙SPI:SCLK、CS#、IO0、I01、可濕性粉劑#、保持#/復位#
-SPI四方:SCLK、CSI、100、101、102、1O3
●靈活的架構
-3或4字節尋址模式
-4K字節的均勻扇區
-32/64K字節的均勻塊
●高速時鐘頻率
-最大104MHz頻率，可在3.0-3.6V電源上快速讀取低功耗
雙I/O數據傳輸速度高達208 Mbit/s
-1uA典型深度掉電電流
數據傳輸速度高達416 Mbit/s
-12uA典型待機電流
-最大80MHz，可在2.7-3.6V電源上快速讀取
雙I/O數據傳輸速度高達160Mbit/s
數據傳輸速度高達320 Mbit/s
●高級安全功能
3*2048字節安全寄存器與OTPLo
軟件寫保護
-128位元唯一識別碼
-通過軟件寫入保護所有/部分內存
-串行閃存可發現參數
-頂部/底部塊保護
單電源供電電壓
●允許XIP(就地執行)操作
-全電壓范圍2.7-3.6V
-8/16/32/64字節的連續讀取
封裝信息-SOP16(騎行耐力和數據保留300mil)
-WSON8 (8*6最少100,000個程序/擦除周期毫米)
-TFBGA-24(5*5球陣列)
-20年數據保留典型
 
■GD25Q256DYIGR概要：
該GD25Q256D(256M位)串行閃存支持標準串行外圍接口(SPI)，并支持雙/四SPl:串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0(SL),1/01(S0)、I/O2(可濕性粉劑#)和I/O3(保持#/復位#)。雙I/O數據傳輸速度為208Mbits/s，四通道I/O&Quad輸出數據傳輸速度為416Mbits/s。
 
 
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