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FQPF10N60C 功率場效應管， N 溝道
FQPF10N60C 功率場效應管， N 溝道
這些N溝道增強型功率場效應晶體管采用飛兆半導體專有的平面條紋DMOS技術生產。 這種先進的技術特別適合于最小化導通電阻，提供優異的開關性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。 這些器件非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。
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FQPF10N60C 的特性
■9.5 A，600 V，RDS（開）=730 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=4.75 A
■低柵極電荷（典型44 nC）
■低CRS（典型18 pF）
 
 
FQPF10N60C 的說明
這些N溝道增強型功率場效應晶體管采用飛兆半導體專有的平面條紋DMOS技術生產。 這種先進的技術特別適合于最小化導通電阻，提供優異的開關性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。 這些器件非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。
FQPF10N60C 的特性
■9.5 A，600 V，RDS（開）=730 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=4.75 A
■低柵極電荷（典型44 nC）
■低CRS（典型18 pF）
 
 
FQPF10N60C 的說明
這些N溝道增強型功率場效應晶體管采用飛兆半導體專有的平面條紋DMOS技術生產。 這種先進的技術特別適合于最小化導通電阻，提供優異的開關性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。 這些器件非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。
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