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FDP5N60NZ 功率 MOSFET N 溝道
FDP5N60NZ 功率 MOSFET N 溝道
UniFETTM II MOSFET是基于先進的平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET系列。 這種先進的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導通電阻，還提供了優異的開關性能和更高的雪崩能量強度。 此外，內部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV HBM的浪涌應力。 該器件系列適用于功率因數校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮流器等開關電源轉換器應用。
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FDP5N60NZ 的特性
■RDS（開）=1.65Ω（典型值）@VGS=10V，ID=2.25A
■低柵極電荷（典型10nC）
■低CRS（典型5pF）
■100%雪崩測試
■改進的dv/dt能力
■ESD改進能力
■符合RoHS
 
 
FDP5N60NZ 的說明
UniFETTM II MOSFET是基于先進的平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET系列。 這種先進的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導通電阻，還提供了優異的開關性能和更高的雪崩能量強度。 此外，內部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV HBM的浪涌應力。 該器件系列適用于功率因數校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮流器等開關電源轉換器應用。
FDP5N60NZ 的特性
■RDS（開）=1.65Ω（典型值）@VGS=10V，ID=2.25A
■低柵極電荷（典型10nC）
■低CRS（典型5pF）
■100%雪崩測試
■改進的dv/dt能力
■ESD改進能力
■符合RoHS
 
 
FDP5N60NZ 的說明
UniFETTM II MOSFET是基于先進的平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET系列。 這種先進的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導通電阻，還提供了優異的開關性能和更高的雪崩能量強度。 此外，內部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV HBM的浪涌應力。 該器件系列適用于功率因數校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮流器等開關電源轉換器應用。
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