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DS1210+ 非易失控制器芯片
DS1210+ 非易失控制器芯片
DS1210+的說明
DS1210非易失性控制器芯片是一種CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否超出容差條件。當檢測到這種情況時,芯片使能被禁止以實現寫保護,并且電池被接通以向RAM提供不間斷電源。特殊電路采用低泄漏CMOS工藝,以極低的電池功耗提供精確的電壓檢測。8引腳DIP封裝將PC板的面積要求降至最低。通過將DS1210非易失性控制器芯片與CMOS存儲器和電池相結合,可以實現非易失性RAM操作。
價格: ¥4.000 - ¥5.000
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>=100 ¥4.00 ¥1
        
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商品屬性
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商品咨詢
DS1210+的特性
●將CMOS RAMs轉換為非易失性存儲器
●當VCC超差時,無條件寫保護
●斷電時自動切換到電池供電
●節省空間的8引腳PDIP或16引腳SO封裝
●消耗不到100nA的電池電流
●通電時測試電池狀況
●提供冗余電池
●可選的5%或10%電源故障檢測
●VCC開關上的低正向壓降
●可選工業(N)溫度范圍為-40°C至+85°C
 
DS1210+的說明
DS1210非易失性控制器芯片是一種CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否超出容差條件。當檢測到這種情況時,芯片使能被禁止以實現寫保護,并且電池被接通以向RAM提供不間斷電源。特殊電路采用低泄漏CMOS工藝,以極低的電池功耗提供精確的電壓檢測。8引腳DIP封裝將PC板的面積要求降至最低。通過將DS1210非易失性控制器芯片與CMOS存儲器和電池相結合,可以實現非易失性RAM操作。
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