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FQA70N10 功率場效應管 N 溝道
FQA70N10 功率場效應管 N 溝道
這種N溝道增強型功率MOSFET是使用專有的平面條紋和DMOS技術生產的。這種先進的MOSFET技術特別適合于降低導通電阻，并提供優越的開關性能和高雪崩能量強度。這些設備適用于開關電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。
價格: ￥8.000 - ￥9.000
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>=100 ￥8.00 ￥1
        
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FQA70N10 的特性
■70A，100VRDS（開啟）=23mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=35A
■低柵極電荷（典型85nC）
■低CRS（典型150pF）
■100%雪崩測試
■175°C最大連接溫度額定值
 
 
FQA70N10 的說明
這種N溝道增強型功率MOSFET是使用專有的平面條紋和DMOS技術生產的。這種先進的MOSFET技術特別適合于降低導通電阻，并提供優越的開關性能和高雪崩能量強度。這些設備適用于開關電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。
FQA70N10 的特性
■70A，100VRDS（開啟）=23mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=35A
■低柵極電荷（典型85nC）
■低CRS（典型150pF）
■100%雪崩測試
■175°C最大連接溫度額定值
 
 
FQA70N10 的說明
這種N溝道增強型功率MOSFET是使用專有的平面條紋和DMOS技術生產的。這種先進的MOSFET技術特別適合于降低導通電阻，并提供優越的開關性能和高雪崩能量強度。這些設備適用于開關電源、音頻放大器、直流電機控制和可變開關電源應用。
電話:+86-0755-84196189 
傳真:+86-0755-83687442
移動電話:13502856648 
聯系QQ：800007218
聯系人:黃小姐、陳先生、陳小姐
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