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DS1220Y-150 全靜態(tài)非易失RAM
DS1220Y-150 全靜態(tài)非易失RAM
DS1220Y-150   全靜態(tài)非易失RAM
價格: ￥25.000 - ￥26.000
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1-99 ￥26.00 ￥0
100-999 ￥25.50 ￥0.5
>=1000 ￥25.00 ￥1
        
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DS1220Y-150  的說明
DS1220Y 16k非易失性SRAM是一種16384位的全靜態(tài)非易失RAM，組織為2048個字乘8位。每個NV SRAM都有一個獨立的鋰能源和控制電路，用于持續(xù)監(jiān)控VCC是否超出公差條件。當(dāng)這種情況發(fā)生時，鋰能源會自動打開，并無條件啟用寫保護(hù)，以防止數(shù)據(jù)損壞。NV SRAM可以取代現(xiàn)有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字節(jié)寬24引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。DS1220Y還與2716 EPROM或2816 EEPROM的引腳匹配，允許直接替換，同時提高性能。對可執(zhí)行的寫入周期的數(shù)量沒有限制，并且微處理器接口不需要額外的支持電路。
 
 
 
DS1220Y-150  的特征
●在沒有外部電源的情況下，至少保留10年數(shù)據(jù)
●數(shù)據(jù)在斷電期間自動受到保護(hù)
●直接取代2k x 8易失性靜態(tài)RAM或EEPROM
●無限寫入周期
●低功耗CMOS
●JEDEC標(biāo)準(zhǔn)24引腳DIP封裝
●讀寫訪問時間為100納秒
●全±10%工作范圍
●可選工業(yè)溫度范圍為-40°C至+85°C，指定為IND
DS1220Y-150  的說明
DS1220Y 16k非易失性SRAM是一種16384位的全靜態(tài)非易失RAM，組織為2048個字乘8位。每個NV SRAM都有一個獨立的鋰能源和控制電路，用于持續(xù)監(jiān)控VCC是否超出公差條件。當(dāng)這種情況發(fā)生時，鋰能源會自動打開，并無條件啟用寫保護(hù)，以防止數(shù)據(jù)損壞。NV SRAM可以取代現(xiàn)有的2k x 8 SRAM，直接符合流行的字節(jié)寬24引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。DS1220Y還與2716 EPROM或2816 EEPROM的引腳匹配，允許直接替換，同時提高性能。對可執(zhí)行的寫入周期的數(shù)量沒有限制，并且微處理器接口不需要額外的支持電路。
 
 
 
DS1220Y-150  的特征
●在沒有外部電源的情況下，至少保留10年數(shù)據(jù)
●數(shù)據(jù)在斷電期間自動受到保護(hù)
●直接取代2k x 8易失性靜態(tài)RAM或EEPROM
●無限寫入周期
●低功耗CMOS
●JEDEC標(biāo)準(zhǔn)24引腳DIP封裝
●讀寫訪問時間為100納秒
●全±10%工作范圍
●可選工業(yè)溫度范圍為-40°C至+85°C，指定為IND
電話:+86-755-83681378 83291586 83687442
傳真:+86-755-83687442
移動電話:13424188068 
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